碳化硅衬底片-杭州大和热磁

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碳化硅衬底片

碳化硅（SiC）——第三代半导体单晶材料

迄今为止，以硅（Si）、砷化镓（GaAs）为代表的第一、第二代半导体推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。随着电力电子技术的飞速发展，半导体器件需求也在增加，电流、电压等级越来越高，芯片越薄越小，导通压降低，开关频率高、损耗小等等。Si基半导体由于材料特性所限已经无法满足需求，而以碳化硅SiC等新材料为主的新型半导体材料，以其优越的性能突破Si的瓶颈，给半导体器件性能带来了显著提升。

碳化硅SiC半导体器件的优势

（1）比导通电阻是Si器件的近千分之一（在相同的电压/电流等级），可以大大降低器件的导通损耗；（2）开关频率是硅器件的20倍，可以大大减小电路中储能元件的体积，从而成倍的减小设备体积，减少贵重金属等设备的消耗；（3）理论上可以在600度以上的高温环境下工作，并有抗辐射的优势，可以大大提高系统的可靠性，在能源转换领域具有巨大的技术优势和应用价值。